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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4340DDY-T1-GE3
SI4340DDY-T1-GE3 PDF预览

SI4340DDY-T1-GE3

更新时间： 2024-11-16 09:26:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体肖特基二极管小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 230K
描述
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

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SI4340DDY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：150 °C峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：5.4 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SI4340DDY-T1-GE3 数据手册

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Si4340DDY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
14.8  
12.8  
22  
0.0085 at VGS = 10 V  
0.0115 at VGS = 4.5 V  
0.0070 at VGS = 10 V  
0.0095 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
Channel-1  
Channel-2  
20  
8.1  
20  
8.4  
100 % UIS Tested  
18.9  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
APPLICATIONS  
VDS (V)  
VSD (V) Diode Forward Voltage  
IF (A)  
•
DC/DC Converters, Synchronous Buck Converters  
20  
0.55 V at 2.5 A  
2
- Game Stations  
- Notebook PC Logic  
SO-14  
D
1
D
2
D
S
S
1
2
3
4
5
6
7
14  
13  
12  
11  
10  
9
1
1
1
2
2
2
2
1
D
G
G
S
S
S
1
D
D
D
D
D
2
2
2
2
2
Schottky Diode  
G
G
2
1
8
S
1
S
2
Top View  
N-Channel 1  
MOSFET  
N-Channel 2  
MOSFET  
Ordering Information: Si4340DDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Channel-1  
Channel-2  
Unit  
VDS  
20  
20  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
14.8  
11.8  
12.1b, c  
9.7b, c  
50  
22  
17.6  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
16.3b, c  
13b, c  
60  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (t = 300 µs)  
Source-Drain Current Diode Current  
TC = 25 °C  
2.5  
1.7b, c  
4.5  
2.5b, c  
TA = 25 °C  
IAS  
15  
11.25  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
EAS  
mJ  
W
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
3
5.4  
3.5  
3b, c  
1.9b, c  
T
1.9  
PD  
Maximum Power Dissipation  
2b, c  
1.3b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Channel-1  
Typ. Max.  
Channel-2  
Typ. Max.  
35 42  
18 23  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Unit  
t 10 s  
53  
35  
62.5  
42  
°C/W  
Steady State  
RthJF  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under steady state conditions for channel 1 is 110 °C/W and channel 2 is 87 °C/W.  
Document Number: 67583  
S11-0860-Rev. A, 02-Mar-11  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...15

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与SI4340DDY-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4340DY VISHAY

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 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4340DY-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4340DY-T1 VISHAY

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 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4340DY-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor,
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