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SI4334DY-T1-E3

更新时间： 2024-11-16 20:50:11

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	111K
描述
TRANSISTOR 11.3 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Power

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SI4334DY-T1-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	雪崩能效等级（Eas）：	20 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11.3 A	最大漏极电流 (ID)：	11.3 A
最大漏源导通电阻：	0.0135 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	5.2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI4334DY-T1-E3 数据手册

Si4334DY

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

• TrenchFET^®Power MOSFET

• 100 % R_gand UIS Tested

V_DS(V)

r_DS(on)(Ω)

I_D(A)^a

Q_g(Typ)

0.0135 at V_GS= 10 V

0.016 at V_GS= 4.5 V

14.8

13.4

RoHS

14 nC

COMPLIANT

APPLICATIONS

• Notebook Logic DC/DC

- Low Side

SCHOTTKY AND BODY DIODE PRODUCT

SUMMARY

_S(A)

_SD(V)

V_DS(V)

0.4 at 2 A

5^a

SO-8

Schottky Diode

N-Channel MOSFET

Top View

Ordering Information: Si4334DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

_C= 25 °C

T_C= 70 °C

_A= 25 °C

T_A= 70 °C

14.8

11.8

11.3^{b, c}

9.1^{b, c}

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

_C= 25 °C

_A= 25 °C

4.3

2.8^{b, c}

Continuous Source-Drain Diode Current

Single Pulse Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy

I_AS

L = 0.1 mH

E_AS

5.2

3.3

3.1^{b, c}

2.0^{b, c}

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Maximum Power Dissipation

P_D

T_J, T_stg

°C

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, d}

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Typ

Max

Symbol

R_thJA

R_thJF

Unit

t ≤ 10 sec

Steady State

°C/W

Notes:

a. Based on T_C= 25 °C.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.

c. t = 10 sec.

d. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.

Document Number: 74253

S-61222-Rev. A, 17-Jul-06

www.vishay.com

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