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Datasheet > SI4638CDY-T1-E3
SI4638CDY-T1-E3 PDF预览

SI4638CDY-T1-E3

更新时间： 2024-09-28 14:44:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 103K
描述
TRANSISTOR 16000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Small Signal

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SI4638CDY-T1-E3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.72Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：16 A最大漏源导通电阻：0.0065 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4638CDY-T1-E3 数据手册

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New Product  
Si4638DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)a  
Qg (Typ.)  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
0.0065 at VGS = 10 V  
0.008 at VGS = 4.5 V  
22.4  
20.2  
30  
27.5 nC  
•
SkyFET® Monolithic TrenchFET® Power  
MOSFET and Schottky Diode  
100 % Rg Tested  
•
•
•
100 % UIS Tested  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
SO-8  
•
Notebook System Power  
•
DC/DC Conversion  
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
D
Schottky Diode  
G
Top View  
N-Channel MOSFET  
Ordering Information:  
Si4638DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4638DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
22.4  
18  
16b, c  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
T
12.7b, c  
70  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
5.3  
2.7b, c  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
30  
L = 0.1 mH  
EAS  
45  
5.9  
3.8  
3b, c  
1.9b, c  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
TJ, Tstg  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typ.  
33  
Max.  
42  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
°C/W  
16  
21  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.  
Document Number: 68745  
S09-0764-Rev. B, 04-May-09  
www.vishay.com  
1
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4642DY VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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