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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.58 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 45 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 27 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0027 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 7.8 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 70 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| Si4632-A10-GM | SILICON | Silicon Labs is updating the Si4682/4/8 data sheets |
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| SI4632DY-T1-E3 | VISHAY | TRANSISTOR 27 A, 25 V, 0.0033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SO-8, FET |
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| SI4632DY-T1-GE3 | VISHAY | TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal |
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| Si4634-A10-GM | SILICON | Silicon Labs is updating the Si4682/4/8 data sheets |
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| SI4634DY | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4634DY-T1-E3 | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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