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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4622DY-T1-GE3
SI4622DY-T1-GE3 PDF预览

SI4622DY-T1-GE3

更新时间： 2024-02-23 12:50:02
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体肖特基二极管小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
15页 295K
描述
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

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SI4622DY-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.016 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4622DY-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si4622DY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
ID (A)a  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
8.0e  
8.0e  
8.0e  
8.0e  
0.0160 at VGS = 10 V  
0.0186 at VGS = 4.5 V  
0.0264 at VGS = 10 V  
0.0290 at VGS = 4.5 V  
SkyFET® Monolithic TrenchFET®  
Power MOSFET and Schottky Diode  
100 % Rg and UIS Tested  
Channel-1  
Channel-2  
30  
19  
•
30  
6
•
•
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
Notebook Logic DC-DC  
•
Low Current DC-DC  
D
1
D
2
SO-8  
S
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
1
1
2
G
1
Schottky Diode  
G
G
2
1
S
2
G
2
D
2
Top View  
Ordering Information: Si4622DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
S
1
S
2
Si4622DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Channel-1  
Channel-2  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
20  
30  
16  
V
VGS  
8e  
8e  
6.7  
6.7b, c  
5.3b, c  
30  
T
C = 25 °C  
8e  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
8b, c, e  
7.2b, c  
60  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Source-Drain Current Diode Current  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
2.8  
1.8b, c  
2.6  
1.7b, c  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
25  
15  
L = 0.1 mH  
EAS  
31.2  
3.3  
11.2  
3.1  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
2.1  
2.0  
PD  
Maximum Power Dissipation  
2.2b, c  
1.4b, c  
2.0b, c  
1.3b, c  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
- 55 to 150  
°C  
Channel-1  
Typ. Max.  
45 56  
29 38  
Channel-2  
Typ.  
Symbol  
RthJA  
Max.  
Unit  
t ≤ 10 s  
55  
33  
62.5  
40  
°C/W  
RthJF  
Steady State  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W (Channel-1) and 110 °C/W (Channel-2).  
e. Package limited.  
Document Number: 68695  
S09-0764-Rev. B, 04-May-09  
www.vishay.com  
1
1234567...15

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