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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4916DY-T1-GE3
SI4916DY-T1-GE3 PDF预览

SI4916DY-T1-GE3

更新时间： 2024-11-09 09:26:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体肖特基二极管小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 261K
描述
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

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SI4916DY-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
Is Samacsys：N配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10.5 A
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.018 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4916DY-T1-GE3 数据手册

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Si4916DY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
10  
0.018 at VGS = 10 V  
0.023 at VGS = 4.5 V  
0.018 at VGS = 10 V  
0.022 at VGS = 4.5 V  
•
•
LITTLE FOOT® Plus Integrated Schottky  
100 % Rg Tested  
Channel-1  
Channel-2  
6.6  
8.5  
30  
10.5  
9.3  
8.9  
APPLICATIONS  
•
DC/DC Converters  
- Notebook  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
VSD (V)  
Diode Forward Voltage  
D
1
VDS (V)  
IF (A)  
30  
0.50 V at 1.0 A  
2.0  
SO-8  
G
1
D
1
D
1
G
2
S
2
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
N-Channel 1  
MOSFET  
S /D  
1
S /D  
2
2
2
1
2
S /D  
1
S /D  
1
Schottky Diode  
G
2
Top View  
Si4916DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
N-Channel 2  
MOSFET  
Ordering Information:  
S
2
Si4916DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Channel-1  
Channel-2  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
20  
V
VGS  
TC = 25 °C  
10  
8
10.5  
8.3  
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a, b  
ID  
7.5a, b, c  
7.8a, b, c  
T
6a ,b, c  
6.3a, b, c  
TA = 70 °C  
IDM  
IS  
A
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Continuous Source-Drain Diode Current  
40  
40  
T
C = 25 °C  
3
3.2  
1.7a, b, c  
40  
1.8a, b, c  
40  
TA = 25 °C  
ISM  
IAS  
PulseD Source-Drain Current  
Single-Pulse Avalanche Current  
Single-Pulse Avalanche Energy  
15  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
EAS  
11.2  
mJ  
W
3.3  
2.1  
3.5  
2.2  
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa, b  
PD  
1.9a, b, c  
1.2a, b, c  
2.0a, b, c  
1.3a, b, c  
T
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
Document Number: 74331  
S09-0540-Rev. B, 06-Apr-09  
www.vishay.com  
1
1234567...13

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SI4916DY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4622DY-T1-GE3 VISHAY

完全替代

 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

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SI4920DY FAIRCHILD

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