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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI4920DY-T1-E3
SI4920DY-T1-E3 PDF预览

SI4920DY-T1-E3

更新时间： 2024-09-16 12:55:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 225K
描述
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4920DY-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.42
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.9 A
最大漏极电流 (ID)：6.9 A最大漏源导通电阻：0.025 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4920DY-T1-E3 数据手册

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Si4920DY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
6.9  
Definition  
0.025 at VGS = 10 V  
0.035 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFETs  
100 % Rg Tested  
30  
5.ꢀ  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
D
1
D
2
SO-8  
S
G
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
ꢀ
7
6
5
1
1
2
2
G
G
2
1
G
Top View  
S
1
S
2
Ordering Information: Si4920DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4920DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
6.9  
5.5  
40  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
1.7  
2
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TA = 70 °C  
1.3  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
62.5  
°C/W  
Notes:  
a. Surface Mounted on FR4 board, t ≤ 10 s.  
Document Number: 70667  
S09-0767-Rev. E, 04-May-09  
www.vishay.com  
1
12345678

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SI4920DY-T1-E3 替代型号

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