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SI4920DYL99Z

更新时间： 2024-11-09 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 217K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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SI4920DYL99Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.75配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4920DYL99Z 数据手册

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January 2001  
Si4920DY  
Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrenchâ MOSFET  
General Description  
Features  
6 A, 30 V. RDS(ON) = 0.028 W @ VGS = 10 V  
These N-Channel Logic Level MOSFETs are  
produced using Fairchild Semiconductor's  
advanced PowerTrench process that has been  
especially tailored to minimize the on-state  
resistance and yet maintain superior switching  
performance.  
R
DS(ON) = 0.035 W @ VGS = 4.5 V.  
Fast switching speed.  
Low gate charge (typical 9 nC).  
High performance trench technology for extremely low  
RDS(ON)  
.
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line  
power loss and fast switching are required.  
High power and current handling capability.  
SuperSOTTM-6  
SuperSOTTM-8  
SOIC-16  
SOT-23  
SO-8  
SOT-223  
D2  
5
6
7
8
4
D2  
D1  
D1  
3
2
G2  
S2  
1
G1  
pin 1  
SO-8  
S1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless other wise noted  
Symbol Parameter  
Si4920DY  
Units  
Drain-Source Voltage  
30  
V
VDSS  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
±20  
V
A
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
6
20  
2
Power Dissipation for Single Operation  
W
PD  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.6  
0.9  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
(Note 1)  
© 2001 Fairchild Semiconductor International  
Si4920DY Rev.A  
12345

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