5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SI4920DYL99Z
SI4920DYL99Z PDF预览

SI4920DYL99Z

更新时间： 2024-11-06 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 217K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI4920DYL99Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.75配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4920DYL99Z 数据手册

 浏览型号SI4920DYL99Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4920DYL99Z的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI4920DYL99Z的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI4920DYL99Z的Datasheet PDF文件第5页 
January 2001  
Si4920DY  
Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrenchâ MOSFET  
General Description  
Features  
6 A, 30 V. RDS(ON) = 0.028 W @ VGS = 10 V  
These N-Channel Logic Level MOSFETs are  
produced using Fairchild Semiconductor's  
advanced PowerTrench process that has been  
especially tailored to minimize the on-state  
resistance and yet maintain superior switching  
performance.  
R
DS(ON) = 0.035 W @ VGS = 4.5 V.  
Fast switching speed.  
Low gate charge (typical 9 nC).  
High performance trench technology for extremely low  
RDS(ON)  
.
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line  
power loss and fast switching are required.  
High power and current handling capability.  
SuperSOTTM-6  
SuperSOTTM-8  
SOIC-16  
SOT-23  
SO-8  
SOT-223  
D2  
5
6
7
8
4
D2  
D1  
D1  
3
2
G2  
S2  
1
G1  
pin 1  
SO-8  
S1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless other wise noted  
Symbol Parameter  
Si4920DY  
Units  
Drain-Source Voltage  
30  
V
VDSS  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
±20  
V
A
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
6
20  
2
Power Dissipation for Single Operation  
W
PD  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.6  
0.9  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
(Note 1)  
© 2001 Fairchild Semiconductor International  
Si4920DY Rev.A  
12345

中文翻译

下载PDF

与SI4920DYL99Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4920DY-T1 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4920DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4921DY VISHAY

获取价格

 		Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4921DY-E3 VISHAY

获取价格

 		Transistor
SI4922BDY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4922BDY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI4922DY VISHAY

获取价格

 		SPICE Device Model Si4922DY
SI4922DY-T1 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4923DY VISHAY

获取价格

 		Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4923DY-T1 VISHAY

获取价格

 		Transistor

与SI4920DYL99Z相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证