SI4920DY

更新时间： 2024-11-08 21:55:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	217K
描述
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SI4920DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SO-8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.9 A
最大漏极电流 (ID)：	6.9 A	最大漏源导通电阻：	0.025 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI4920DY 数据手册

Click Here & Upgrade

Expanded Features

Unlimited Pages

PDF

Complete

Documents

\\\

SPICE Device Model Si4920DY

Vishay Siliconix

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

CHARACTERISTICS

· N-Channel Vertical DMOS

· Macro Model (Subcircuit Model)

· Level 3 MOS

· Apply for both Linear and Switching Application

· Accurate over the - 55 to 125°C Temperature Range

· Model the Gate Charge, Transient, and Diode Reverse Recovery

Characteristics

DESCRIPTION

The attached spice model describes the typical electrical

characteristics of the n-channel vertical DMOS. The subcircuit

model is extracted and optimized over the - 55 to 125°C

temperature ranges under the pulsed 0 to 10V gate drive. The

saturated output impedance is best fit at the gate bias near the

threshold voltage.

A novel gate-to-drain feedback capacitance network is used to model

the gate charge characteristics while avoiding convergence difficulties

of the switched C_gdmodel. All model parameter values are optimized

to provide a best fit to the measured electrical data and are not

intended as an exact physical interpretation of the device.

SUBCIRCUIT MODEL SCHEMATIC

This document is intended as a SPICE modeling guideline and does not constitute a commercial product data sheet. Designers should refer to the appropriate

data sheet of the same number for guaranteed specification limits.

Document Number: 71008

18-May-04

www.vishay.com

12 3

中文翻译

下载PDF

与SI4920DY相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4920DYF011	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI4920DYL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI4920DYL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI4920DY-T1	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4920DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4921DY	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4921DY-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SI4922BDY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4922BDY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI4922DY	VISHAY	获取价格	SPICE Device Model Si4922DY

与SI4920DY相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

22
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

21
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

47
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

39

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SI4920DY

SI4920DY 技术参数

SI4920DY 数据手册

与SI4920DY相关器件

与SI4920DY相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SI4920DY

SI4920DY 技术参数

SI4920DY 数据手册

与SI4920DY相关器件

与SI4920DY相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？