5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI9925DY
SI9925DY PDF预览

SI9925DY

更新时间： 2024-09-10 06:11:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI9925DY 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.05 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI9925DY 数据手册

 浏览型号SI9925DY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI9925DY的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI9925DY的Datasheet PDF文件第4页 
Si9925DY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.05 @ V = 4.5 V  
GS  
5.0  
4.2  
3.6  
0.06 @ V = 3.0 V  
GS  
20  
0.08 @ V = 2.5 V  
GS  
D
1
D
1
D
2
D
2
SO-8  
S
G
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
G
G
2
1
G
Top View  
S
1
S
2
Ordering Information: Si9925DY  
Si9925DY-T1 (with Tape and Reel)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
"12  
5.0  
DS  
GS  
V
V
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
4.0  
A
Pulsed Drain Current  
I
48  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
S
1.7  
T
= 25_C  
= 70_C  
2
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
D
W
T
A
1.3  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
62.5  
_C/W  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.  
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm  
Document Number: 70145  
S-03950—Rev. N, 26-May-03  
www.vishay.com  
1
 
1234

中文翻译

下载PDF

与SI9925DY相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI9925DY/T3 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 5000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTI
SI9925DY-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI9925DY-T1 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9925DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI9926ADY VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9926ADY-T1 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI9926ADY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI9926BDY VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9926BDY TYSEMI

获取价格

 		Drain-Source Voltage VDS V Gate-Source Voltage VGS -10 V
SI9926BDY KEXIN

获取价格

 		Dual N-Channel MOSFET

与SI9925DY相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证