SI9925DY-T1

更新时间： 2024-09-10 06:11:39

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
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描述
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

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SI9925DY-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.79	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏源导通电阻：	0.05 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI9925DY-T1 数据手册

Si9925DY

Vishay Siliconix

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.05 @ V = 4.5 V

5.0

4.2

3.6

0.06 @ V = 3.0 V

0.08 @ V = 2.5 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si9925DY

Si9925DY-T1 (with Tape and Reel)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"12

5.0

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 150_C)

4.0

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

1.7

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.3

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

62.5

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

Document Number: 70145

S-03950—Rev. N, 26-May-03

www.vishay.com

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