Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI3433CDV-T1-GE3

SI3433CDV-T1-GE3

更新时间： 2024-09-15 12:02:59

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	212K
描述
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI3433CDV-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.14	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A	最大漏极电流 (ID)：	5.2 A
最大漏源导通电阻：	0.038 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI3433CDV-T1-GE3 数据手册

New Product

Si3433CDV

Vishay Siliconix

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Typ.)

_D(A)^a

- 6

Available

• TrenchFET^®Power MOSFET

0.038 at V_GS= - 4.5 V

0.046 at V_GS= - 2.5 V

0.060 at V_GS= - 1.8 V

- 20

- 6

18 nC

APPLICATIONS

- 6

•

Load Switch

•

Notebook

TSOP-6

Top View

(4) S

3 mm

(3) G

Marking Code

AX XXX

Lot Traceability

and Date Code

Part # Code

2.85 mm

(1, 2, 5, 6) D

Ordering Information: Si3433CDV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si3433CDV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Symbol

V_DS

Limit

- 20

8.0

Unit

V_GS

- 6.0^a

- 5.2^{b, c}

- 4.2^{b, c}

- 20

T_C= 25 °C

_C= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

T_C= 25 °C

- 2.7

- 1.3^{b, c}

3.3

Continuous Source-Drain Diode Current

T_C= 70 °C

_A= 25 °C

T_A= 70 °C

2.1

P_D

Maximum Power Dissipation

1.6^{b, c}

1.0^{b, c}

T_J, T_stg

°C

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, d}

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Symbol

R_thJA

R_thJF

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 5 s

Steady State

°C/W

Notes:

a. Package limited.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 s.

d. Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W.

Document Number: 68803

S09-0387-Rev. B, 09-Mar-09

www.vishay.com

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SI3433CDV-T1-GE3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI3445DV-T1-GE3	VISHAY	功能相似	TRANSISTOR 5.6 A, 8 V, 0.042 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
SI3445DV-T1-E3	VISHAY	功能相似	P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

与SI3433CDV-T1-GE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI3433DV	VISHAY	获取价格	P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI3434DV	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3434DV-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose
SI3434DV-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, TSOP-6, FET
SI3434DV-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
SI3434-TP	MCC	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
SI3434-TP-HF	MCC	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
SI3435DV	VISHAY	获取价格	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI3435DV-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4800 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose
SI3435DV-T1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

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