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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.29 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.034 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI3434DV-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 4600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL |
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| SI3434-TP | MCC |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| SI3434-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| SI3435DV | VISHAY |
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P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
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| SI3435DV-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 4800 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose |
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| SI3435DV-T1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| SI3435DV-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| SI3435DV-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| SI3437DV | VISHAY |
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P-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
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| SI3437DV (KI3437DV) | KEXIN |
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P-Channel MOSFET |
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