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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.155 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI3439KDWA | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
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| Si3440ADV | VISHAY |
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N-Channel 150 V (D-S) MOSFET |
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| SI3440ADV-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP |
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| SI3440DV | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
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| SI3440DV_08 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
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| SI3440DV-T1 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 1200 mA, 150 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpos |
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| SI3440DV-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
|
| SI3440DV-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
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| SI3441 | FAIRCHILD |
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P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
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| SI3441ADV | VISHAY |
获取价格 |
暂无描述 |
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