Datasheet > SI3441DV-T1-E3

SI3441DV-T1-E3

更新时间： 2024-09-16 14:35:47

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	61K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, TSOP-6

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SI3441DV-T1-E3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	3.3 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI3441DV-T1-E3 数据手册

Si3441DV

Vishay Siliconix

P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.10 @ V = -4.5 V

-3.3

-2.9

-20

0.135 @ V = -2.5 V

(4) S

TSOP-6

Top View

(3) G

3 mm

(1, 2, 5, 6) D

2.85 mm

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-20

= 25_C

= 70_C

-3.3

a, b

Continuous Drain Current (T = 150_C)

-2.6

-16

Pulsed Drain Current

a, b

Continuous Source Current (Diode Conduction)

-1.6

= 25_C

= 70_C

2.0

a, b

Maximum Power Dissipation

1.28

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

62.5

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

C/W

Steady State

106

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board.

b. t v 5 sec

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

Document Number: 70191

S-20212—Rev. F, 01-Apr-02

www.vishay.com

2-1

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与SI3441DV-T1-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI3441DV-T2	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon,
SI3441DV-T3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon
SI3441DV-T3	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon,
SI3442	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
SI3442BDV	VISHAY	获取价格	N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI3442BDV_08	VISHAY	获取价格	N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI3442BDV_09	VISHAY	获取价格	N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI3442BDV-T1-E3	VISHAY	获取价格	N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI3442BDV-T1-GE3	VISHAY	获取价格	N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI3442CDV-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal