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SI3442DV-T3

更新时间： 2024-01-06 06:42:21

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	85K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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技术参数
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SI3442DV-T3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	0.07 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI3442DV-T3 数据手册

Si3442DV

Vishay Siliconix

N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.07 @ V = 4.5 V

"4.0

"3.4

0.095 @ V = 2.5

(1, 2, 5, 6) D

TSOP-6

Top View

(3) G

3 mm

(4) S

2.85 mm

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

"20

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

= 25_C

= 70_C

"4.0

"3.1

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

"20

Continuous Source Current (Diode Conduction)

"1.6

= 25_C

= 70_C

2.0

Maximum Power Dissipation

1.28

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

62.5

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 5 sec.

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

Document Number: 70192

S-49525—Rev. C, 06-Oct-97

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

12 3 4 5

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