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SI3442DV_NL

更新时间： 2024-02-20 14:58:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 69K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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SI3442DV_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SUPERSOT-6
针数：6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.26
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.1 A最大漏极电流 (ID)：4.1 A
最大漏源导通电阻：0.06 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.8 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI3442DV_NL 数据手册

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March 2001  
SI3442DV  
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
4.1 A, 20 V. RDS(ON) = 0.06 W @ VGS = 4.5 V  
DS(ON) = 0.075 W @ VGS =2.7 V.  
These N-Channel logic level enhancement mode power field  
effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,  
high cell density, DMOS technology. This very high density  
process is tailored to minimize on-state resistance. These  
devices are particularly suited for low voltage applications in  
notebook computers, portable phones, PCMICA cards, and  
other battery powered circuits where fast switching, and low  
in-line power loss are needed in a very small outline surface  
mount package.  
R
Proprietary SuperSOTTM-6 package design using copper  
lead frame for superior thermal and electrical capabilities.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
Exceptional on-resistance and maximum DC current  
capability.  
____________________________________________________________________________________________  
4
3
2
5
6
1
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise note  
Symbol Parameter  
SI3442DV  
Drain-Source Voltage  
20  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage - Continuous  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
8
4.1  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
15  
Maximum Power Dissipation  
1.6  
W
PD  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1
0.8  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
30  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
R
JC  
q
© 2001Fairchild Semiconductor Corporation  
SI3442DV Rev. A  
1234567

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