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SI3442BDV-T1-GE3

更新时间： 2024-02-23 18:04:02

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威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	185K
描述
N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

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SI3442BDV-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	0.057 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.67 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Pure Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI3442BDV-T1-GE3 数据手册

Si3442BDV

Vishay Siliconix

N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

4.2

Definition

0.057 at V_GS= 4.5 V

0.090 at V_GS= 2.5 V

•

TrenchFET^®Power MOSFET

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

3.4

TSOP-6

Top View

(1, 2, 5, 6) D

3 mm

(3) G

2.85 mm

Ordering Information: Si3442BDV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

(4) S

Si3442BDV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

Marking Code:

2Bxxx

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

5 s

Steady State

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

4.2

3.4

3.0

2.4

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

1.4

0.72

0.86

0.55

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

1.67

1.07

Maximum Power Dissipation^a

P_D

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

100

Unit

t ≤ 5 s

Maximum Junction-to-Ambient^a

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

R_thJA

Steady State

120

145

°C/W

R_thJF

Note:

a. Surface Mounted on FR4 board, t ≤ 5 s.

Document Number: 72504

S09-2110-Rev. E, 12-Oct-09

www.vishay.com

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