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SI3442CDV-T1-GE3

更新时间： 2024-01-02 09:55:54

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	223K
描述
TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal

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SI3442CDV-T1-GE3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.67	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
最大漏极电流 (ID)：	6.6 A	最大漏源导通电阻：	0.027 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-193AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.7 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI3442CDV-T1-GE3 数据手册

Si3442CDV

Vishay Siliconix

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES

TrenchFET^®Power MOSFET

PRODUCT SUMMARY

•

V_DS(V)

R_DS(on)() Max.

0.027 at V_GS= 10 V

0.030 at V_GS= 4.5 V

0.049 at V_GS= 2.5 V

I_D(A)^a

8^d

Q_g(Typ.)

100 % R_gand UIS Tested

Material categorization:

For definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

4.3 nC

7.5

6.1

APPLICATIONS

TSOP-6

Top View

•

DC/DC Converters

Boost Converters

Load Switch

(1, 2, 5, 6)

3 mm

Marking Code

BE XXX

Lot Traceability

and Date Code

(3)

Part # Code

2.85 mm

(4)

Ordering Information:

Si3442CDV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

8^d

_C= 25 °C

T_C= 70 °C

_A= 25 °C

T_A= 70 °C

6.6

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

6.5^{a, b}

5.2^{a, b}

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current (t = 300 µs)

_C= 25 °C

_A= 25 °C

2.2

1.4^{a, b}

Continuous Source-Drain Diode Current

I_AS

Avalanche Current

L = 0.1 mH

E_AS

Single Avalanche Energy

3.2

_C= 25 °C

_C= 70 °C

_A= 25 °C

2.7

1.7

Maximum Power Dissipation

P_D

1.7^{a, b}

1.1^{a, b}

- 55 to 150

T_A= 70 °C

T_J, T_stg

°C

Operating Junction and Storage Temperature Range

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{a, c}

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t  5 s

Steady State

R_thJA

R_thJF

°C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes:

a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

b. t = 5 s.

c. Maximum under steady state conditions is 120 °C/W.

d. Package limited

Document Number: 62654

S12-0976-Rev. A, 30-Apr-12

www.vishay.com

For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com

This datasheet is subject to change without notice.

THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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