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SI3440DV-T1 PDF预览

SI3440DV-T1

更新时间： 2024-11-06 14:35:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 68K
描述
TRANSISTOR 1200 mA, 150 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose Small Signal

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SI3440DV-T1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.18配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.2 A
最大漏极电流 (ID)：1.2 A最大漏源导通电阻：0.375 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI3440DV-T1 数据手册

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Si3440DV  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFET  
D PWM Optimized for Fast Switching In Small  
PRODUCT SUMMARY  
Footprint  
D 100% Rg Tested  
APPLICATIONS  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.375 @ V = 10 V  
GS  
1.5  
1.4  
150  
0.400 @ V = 6.0 V  
GS  
D Primary Side Switch for Low Power DC/DC  
Converters  
(1, 2, 5, 6) D  
TSOP-6  
Top View  
1
2
3
6
5
(3) G  
3 mm  
4
(4) S  
2.85 mm  
Ordering Information: Si3440DV-T1  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
5 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
150  
DS  
V
V
GS  
"20  
T
= 25_C  
= 85_C  
1.5  
1.1  
1.2  
0.8  
A
a
Continuous Drain Current (T = 175_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
6
4
DM  
Single Avalanche Current  
I
AS  
L = 0.1 mH  
Single Avalanche Energy (Duty Cycle v1%)  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
E
AS  
0.8  
mJ  
A
a
I
S
1.7  
2.0  
1.0  
1.0  
T
A
= 25_C  
= 85_C  
1.14  
0.59  
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 5 sec  
Steady State  
Steady State  
45  
90  
25  
62.5  
110  
30  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72380  
S-31919—Rev. A, 15-Sep-03  
www.vishay.com  
1
 
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
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