5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TSOP | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.2 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.375 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-193C | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.14 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI3440DV-T1-E3 | VISHAY |
功能相似  |
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI3441 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
|
| SI3441ADV | VISHAY |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| SI3441BDV | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
|
| SI3441BDV_08 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
|
| SI3441BDV-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 2450 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose |
|
| SI3441BDV-T1 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
|
| SI3441BDV-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
|
| SI3441BDV-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 2450 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL |
|
| SI3441DV | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
|
| SI3441DV | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
