5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.3 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.034 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI3434DV-T1-E3 | VISHAY |
完全替代  |
TRANSISTOR 4600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, TSOP-6, FET |
|
| SI3434DV | VISHAY |
功能相似 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI3434-TP | MCC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| SI3434-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| SI3435DV | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
|
| SI3435DV-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 4800 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose |
|
| SI3435DV-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| SI3435DV-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| SI3435DV-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| SI3437DV | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
|
| SI3437DV (KI3437DV) | KEXIN |
获取价格 |
P-Channel MOSFET |
|
| SI3437DV-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
