SI3435DV

更新时间： 2024-11-24 22:33:51

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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5页	46K
描述
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

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SI3435DV 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.8 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI3435DV 数据手册

Si3435DV

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.036 @ V = -4.5 V

-6.3

-5.3

-4.4

-12

0.050 @ V = -2.5

0.073 @ V = -1.8

(4) S

TSOP-6

Top View

(3) G

3 mm

(1, 2, 5, 6) D

2.85 mm

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-12

= 25_C

= 85_C

-4.8

-3.4

-6.3

-4.6

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

-20

Continuous Diode Current (Diode Conduction)

-1.7

2.0

-0.9

1.1

= 25_C

= 85_C

Maximum Power Dissipation

1.0

0.6

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

Steady State

62.5

110

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71318

S-03371—Rev. B, 03-Mar-03

www.vishay.com

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