生命周期: | Active | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 1.55 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7.4 A |
最大漏极电流 (ID): | 7.4 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0355 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | MO-193AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 3.5 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 20 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI3439DX | TEMIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
SI3439KDWA | MCC |
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Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; | |
Si3440ADV | VISHAY |
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N-Channel 150 V (D-S) MOSFET | |
SI3440ADV-T1-GE3 | VISHAY |
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MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP | |
SI3440DV | VISHAY |
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N-Channel 150-V (D-S) MOSFET | |
SI3440DV_08 | VISHAY |
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N-Channel 150-V (D-S) MOSFET | |
SI3440DV-T1 | VISHAY |
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TRANSISTOR 1200 mA, 150 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpos | |
SI3440DV-T1-E3 | VISHAY |
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N-Channel 150-V (D-S) MOSFET | |
SI3440DV-T1-GE3 | VISHAY |
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Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R | |
SI3441 | FAIRCHILD |
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P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |