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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 1.55 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0355 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MO-193AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 3.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI3439DX | TEMIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| SI3439KDWA | MCC |
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Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
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| Si3440ADV | VISHAY |
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N-Channel 150 V (D-S) MOSFET |
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| SI3440ADV-T1-GE3 | VISHAY |
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MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP |
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| SI3440DV | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
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| SI3440DV_08 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
|
| SI3440DV-T1 | VISHAY |
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TRANSISTOR 1200 mA, 150 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpos |
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| SI3440DV-T1-E3 | VISHAY |
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N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
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| SI3440DV-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
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| SI3441 | FAIRCHILD |
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P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
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