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SI3445DV-T1-GE3

更新时间： 2024-09-16 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 94K
描述
TRANSISTOR 5.6 A, 8 V, 0.042 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6, FET General Purpose Power

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SI3445DV-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.71配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：8 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.6 A
最大漏极电流 (ID)：5.6 A最大漏源导通电阻：0.042 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：PURE MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI3445DV-T1-GE3 数据手册

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Si3445DV  
Vishay Siliconix  
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
5.6  
Definition  
0.042 at VGS = - 4.5 V  
0.060 at VGS = - 2.5 V  
0.080 at VGS = - 1.8 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFETs  
1.8 V Rated  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
- 8  
4.7  
2.9  
TSOP-6  
Top View  
(4) S  
1
2
3
6
5
3 mm  
(3) G  
4
2.85 mm  
(1, 2, 5, 6) D  
Ordering Information: Si3445DV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si3445DV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 8  
8
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
5.6  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a, b  
ID  
4.5  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
20  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a, b  
- 1.7  
2.0  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa, b  
PD  
W
1.3  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
62.5  
Unit  
t ≤ 5 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
°C/W  
Steady State  
106  
Notes:  
a. Surface Mounted on FR4 board.  
b. t ≤ 5 s.  
Document Number: 70820  
S09-0766-Rev. C, 04-May-09  
www.vishay.com  
1
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