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SI3446DV

更新时间： 2024-09-15 22:33:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 95K
描述
Single N-Channel, 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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SI3446DV 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SUPERSOT-6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.68
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.2 A
最大漏极电流 (ID)：6.2 A最大漏源导通电阻：0.024 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.8 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI3446DV 数据手册

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April 2001  
SI3446DV  
Ò
Single N-Channel, 2.5V Specified PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced  
using Fairchild Semiconductor's advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored  
to minimize on-state resistance and yet maintain low  
gate charge for superior switching performance.  
• 6.2 A, 20 V. RDS(on) = 0.024 Ω @ VGS = 4.5 V  
RDS(on) = 0.032 Ω @ VGS = 2.5 V  
• Fast switching speed.  
These devices have been designed to offer exceptional  
power dissipation in a very small footprint compared  
with bigger SO-8 and TSSOP-8 packages.  
• Low gate charge (10.5nC typical).  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
Applications  
• SuperSOTTM-6 package: small footprint (72% smaller  
than standard SO-8); low profile (1mm thick).  
• DC/DC converter  
• Load switch  
• Battery Protection  
S
1
6
5
4
D
D
2
3
G
D
SuperSOT TM-6  
D
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
SI3446DV  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
V
V
12  
±
Drain Current - Continuous  
Drain Current - Pulsed  
6.2  
20  
A
(Note 1a)  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
1.6  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.8  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
78  
30  
Rθ  
(Note 1a)  
(Note 1)  
C/W  
C/W  
°
JA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Rθ  
°
JC  
Package Outlines and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
.637  
FDC637AN  
7’’  
8mm  
3000 units  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
SI3446DV Rev. A1  
12345

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SI3446DV 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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