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SI3447CDV-T1-GE3 PDF预览

SI3447CDV-T1-GE3

更新时间： 2024-09-16 20:07:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 220K
描述
TRANSISTOR 7800 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6, FET General Purpose Small Signal

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SI3447CDV-T1-GE3 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.7配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：12 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.8 A
最大漏极电流 (ID)：7.8 A最大漏源导通电阻：0.036 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI3447CDV-T1-GE3 数据手册

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Si3447CDV  
Vishay Siliconix  
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
I
D (A)a  
- 7.8  
- 6.6  
- 5.6  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
PWM Optimized  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
0.036 at VGS = - 4.5 V  
0.050 at VGS = - 2.5 V  
0.068 at VGS = - 1.8 V  
•
•
•
- 12  
12 nC  
APPLICATIONS  
•
Load Switch  
•
PA Switch  
TSOP-6  
Top View  
(4) S  
1
2
3
6
3 mm  
5
4
(3) G  
Marking Code  
AO XXX  
Lot Traceability  
and Date Code  
Part # Code  
2.85 mm  
(1, 2, 5, 6) D  
Ordering Information: Si3447CDV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si3447CDV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
Limit  
- 12  
8
Unit  
V
VGS  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 7.8  
- 6.2  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
- 6.3b, c  
- 5.0b, c  
- 20  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
- 2.5  
- 1.67b, c  
Continuous Source-Drain Diode Current  
T
C = 25 °C  
3.0  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
2.0  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
2.0b, c  
1.3b, c  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typical  
55  
Maximum  
62.5  
Unit  
t ≤ 5 s  
Steady State  
°C/W  
34  
41  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W.  
Document Number: 69784  
S-09-0660-Rev. B, 20-Apr-09  
www.vishay.com  
1
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