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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI3447BDV-T1
SI3447BDV-T1 PDF预览

SI3447BDV-T1

更新时间： 2024-09-15 22:15:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 66K
描述
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

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SI3447BDV-T1 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.85Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：0.04 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI3447BDV-T1 数据手册

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Si3447BDV  
Vishay Siliconix  
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET: 1.8-V Rated  
D Ultra Low On-Resistance  
APPLICATIONS  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.040 @ V = −4.5 V  
−6.0  
−5.2  
−4.5  
GS  
D Load Switch  
D PA Switch  
−12  
0.053 @ V = −2.5  
V
V
GS  
0.072 @ V = −1.8  
GS  
(4) S  
TSOP-6  
Top View  
1
2
3
6
5
(3) G  
3 mm  
4
2.85 mm  
(1, 2, 5, 6) D  
Ordering Information: Si3447BDV-T1  
P-Channel MOSFET  
Si3447BDV-T1—E3 (Lead Free)  
Marking Code:  
B7xxx  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
5 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
−12  
DS  
V
V
GS  
"8  
T
= 25_C  
= 85_C  
−4.5  
−3.3  
−6.0  
−4.3  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
−20  
a
Continuous Diode Current (Diode Conduction)  
I
−1.7  
2.0  
−0.9  
1.1  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.0  
0.6  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 5 sec  
Steady State  
Steady State  
50  
90  
30  
62.5  
110  
36  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72020  
S-40424—Rev. B, 15-Mar-04  
www.vishay.com  
1
12345

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与SI3447BDV-T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI3447BDV-T1-E3 VISHAY

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 		P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI3447BDV-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 4500 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
SI3447CDV VISHAY

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