5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SI3447BDV-T1-GE3
SI3447BDV-T1-GE3 PDF预览

SI3447BDV-T1-GE3

更新时间： 2024-09-16 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 93K
描述
TRANSISTOR 4500 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6, FET General Purpose Small Signal

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI3447BDV-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.32其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：0.04 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI3447BDV-T1-GE3 数据手册

 浏览型号SI3447BDV-T1-GE3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI3447BDV-T1-GE3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI3447BDV-T1-GE3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI3447BDV-T1-GE3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI3447BDV-T1-GE3的Datasheet PDF文件第6页 
Si3447BDV  
Vishay Siliconix  
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 6.0  
- 5.2  
- 4.5  
Definition  
0.040 at VGS = - 4.5 V  
0.053 at VGS = - 2.5 V  
0.072 at VGS = - 1.8 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET: 1.8 V Rated  
Ultra Low On-Resistance  
- 12  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
Load Switch  
•
PA Switch  
TSOP-6  
Top View  
(4) S  
1
2
3
6
5
3 mm  
(3) G  
4
2.85 mm  
Ordering Information: Si3447BDV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
(1, 2, 5, 6) D  
Si3447BDV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
Marking Code:  
B7xxx  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
5 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 12  
8
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
- 6.0  
- 4.3  
- 4.5  
- 3.3  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
- 20  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
- 1.7  
2.0  
- 0.9  
1.1  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
1.0  
0.6  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
50  
Maximum  
62.5  
Unit  
t ≤ 5 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
90  
110  
°C/W  
RthJF  
30  
36  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 72020  
S09-0702-Rev. C, 27-Apr-09  
www.vishay.com  
1
123456

中文翻译

下载PDF

与SI3447BDV-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI3447CDV VISHAY

获取价格

 		P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI3447CDV-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI3447CDV-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 7800 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
SI3447DV VISHAY

获取价格

 		P-Channel 1.8V (G-S) MOSFET
SI3447DV FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
SI3447DV_NL FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
SI3447DVD87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI3447DV-E3 VISHAY

获取价格

 		Transistor
SI3447DVL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI3447DVS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

与SI3447BDV-T1-GE3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证