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SI3446DVD87Z

更新时间： 2024-09-16 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 223K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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SI3446DVD87Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.68Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：6.2 A最大漏源导通电阻：0.024 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI3446DVD87Z 数据手册

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April 2001  
SI3446DV  
Ò
Single N-Channel, 2.5V Specified PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced  
using Fairchild Semiconductor's advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored  
to minimize on-state resistance and yet maintain low  
gate charge for superior switching performance.  
• 6.2 A, 20 V. RDS(on) = 0.024 Ω @ VGS = 4.5 V  
RDS(on) = 0.032 Ω @ VGS = 2.5 V  
• Fast switching speed.  
These devices have been designed to offer exceptional  
power dissipation in a very small footprint compared  
with bigger SO-8 and TSSOP-8 packages.  
• Low gate charge (10.5nC typical).  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
Applications  
• SuperSOTTM-6 package: small footprint (72% smaller  
than standard SO-8); low profile (1mm thick).  
• DC/DC converter  
• Load switch  
• Battery Protection  
S
1
6
5
4
D
D
2
3
G
D
SuperSOT TM-6  
D
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
SI3446DV  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
V
V
A
8
±
Drain Current - Continuous  
Drain Current - Pulsed  
6.2  
20  
(Note 1a)  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
1.6  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.8  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
78  
30  
Rθ  
(Note 1a)  
(Note 1)  
C/W  
C/W  
°
JA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Rθ  
°
JC  
Package Outlines and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
.637  
FDC637AN  
7’’  
8mm  
3000 units  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
SI3446DV Rev. A  
12345678

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