5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.68 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.045 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G | 元件数量： | 1 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI3446DV-T2-E3 | TEMIC |
获取价格 |
TRANSISTOR 5.3 A, 20 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| SI3446DV-T3 | TEMIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SI3446DV-T3-E3 | TEMIC |
获取价格 |
TRANSISTOR 5.3 A, 20 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| SI3447 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
|
| SI3447BDV | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
|
| SI3447BDV-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 4500 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose |
|
| SI3447BDV-T1 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
|
| SI3447BDV-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
|
| SI3447BDV-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 4500 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL |
|
| SI3447CDV | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
