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PSMN034-100PS

更新时间： 2024-09-09 11:13:43

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	805K
描述
N-channel 100 V 34.5 mΩ standard level MOSFET in TO220.Production

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PSMN034-100PS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.66
雪崩能效等级（Eas）：	42 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	32 A	最大漏源导通电阻：	0.0345 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	127 A	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN034-100PS 数据手册

PSMN034-100PS

N-channel 100 V 34.5 mΩ standard level MOSFET in TO220.

Rev. 02 — 1 March 2010

Objective data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in TO220 package qualified to 175C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

High efficiency due to low switching

Suitable for standard level gate drive

and conduction losses

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Load switching

Motor control

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

100

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

P_tot

T_j

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

junction temperature

-55

175

°C

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

drain-source

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C;

I_D= 32 A; V_sup≤ 100 V;

unclamped; R_GS= 50 Ω

avalanche energy

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 15 A;

V_DS= 50 V; see Figure 12

and 13

6.9

Q_G(tot)

23.8

Static characteristics

R_DSon

drain-source

on-state resistance

V_GS= 10 V; I_D= 15 A;

T_j= 100 °C; see Figure 11

mΩ

V_GS= 10 V; I_D= 15 A;

29.3 34.5 mΩ

T_j= 25 °C; see Figure 16

12 3 4 5 6 7...15

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PSMN034-100PS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PSMN2R7-30PL	NXP	功能相似	N-channel 30 V 2.7 mΩ logic level MOSFET
PSMN6R5-80PS	NXP	功能相似	N-channel 80V 6.9mΩ standard level MOSFET in
PSMN016-100PS	NXP	功能相似	N-channel 100V 16 mΩ standard level MOSFET in

与PSMN034-100PS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN034-100PS,127	NXP	获取价格	PSMN034-100PS - N-channel 100 V 34.5 mΩ stand
PSMN035-150B	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS transistor
PSMN035-150B,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET D2PAK 3-Pin
PSMN035-150B/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 50 A, 150 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gen
PSMN035-150P	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS transistor
PSMN038	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode field-effect transistor
PSMN038-100HS	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V, 37.6 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyPr
PSMN038-100K	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode field-effect transistor
PSMN038-100K,518	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 8-Pin
PSMN038-100K/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 6300 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, MS-012,

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