Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> PSMN2R7-30PL

PSMN2R7-30PL

更新时间： 2024-09-14 07:03:39

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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14页	218K
描述
N-channel 30 V 2.7 mΩ logic level MOSFET

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PSMN2R7-30PL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	PLASTIC, SC-46, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0027 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	730 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN2R7-30PL 数据手册

PSMN2R7-30PL

N-channel 30 V 2.7 mΩ logic level MOSFET

Rev. 01 — 26 February 2010

Objective data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel MOSFET in TO220 package qualified to 175 °C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

High efficiency due to low switching

Suitable for logic level gate drive

and conduction losses

sources

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Load switiching

Motor control

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

[1]

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

100

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

170

175

T_j

junction temperature

-55

°C

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

drain-source

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C;

I_D= 100 A; V_sup≤ 30 V;

300

avalanche energy

R_GS= 50 Ω; unclamped

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 4.5 V; I_D= 25 A;

V_DS= 15 V;

see Figure 14 and 15

Q_G(tot)

Static characteristics

[2]

R_DSon

drain-source

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

2.3

2.7

mΩ

on-state resistance

T_j= 25 °C; see Figure 12

[1] Continuous current is limited by package.

[2] Measured 3 mm from package.

12 3 4 5 6 7...14

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PSMN2R7-30PL 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PSMN015-60PS	NXP	类似代替	N-channel 60 V 14.8 mΩ standard level MOSFET
PSMN016-100PS	NEXPERIA	功能相似	N-channel 100V 16 mΩ standard level MOSFET in
PSMN015-60PS	NEXPERIA	功能相似	N-channel 60 V 14.8 mΩ standard level MOSFETP

与PSMN2R7-30PL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN2R7-30PL,127	NXP	获取价格	PSMN2R7-30PL - N-channel 30 V 2.7 mΩ logic le
PSMN2R8-25MLC	NEXPERIA	获取价格	N-channel 25 V 2.8 mΩ logic level MOSFET in L
PSMN2R8-40PS	NEXPERIA	获取价格	N-channel TO220 40 V 2.8 mΩ standard level MO
PSMN2R8-40YSB	NEXPERIA	获取价格	N-channel 40 V, 2.8 mOhm, 160 A standard level MOSFET in LFPAK56 using optimized NextPower
PSMN2R8-40YSD	NEXPERIA	获取价格	N-channel 40 V, 2.8 mΩ, 160 A standard level
PSMN2R8-80BS	NXP	获取价格	N-channel 80 V, 3 m standard level FET in D2PAK
PSMN2R8-80BS	NEXPERIA	获取价格	N-channel 80 V, 3 mΩ standard level FET in D2
PSMN2R8-80BS_15	NXP	获取价格	N-channel 80 V, 3 mÎ© standard level FET in D
PSMN2R8-80SSF	NEXPERIA	获取价格	NextPower 80 V, 2.8 mOhm, 190 Amp, N-channel MOSFET in LFPAK88 packageDevelopment
PSMN2R9-100SSE	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V, 2.9 mOhm MOSFET with enhanced SOA in LFPAK88Development

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