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PSMN3R2-25YLC

更新时间： 2024-09-15 10:00:23

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
15页	345K
描述
N-channel 25 V 3.4 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology

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PSMN3R2-25YLC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4	针数：	235
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	其他特性：	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	34 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.00445 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-235
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	462 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN3R2-25YLC 数据手册

PSMN3R2-25YLC

LFP

N-channel 25 V 3.4 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using

NextPower technology

Rev. 01 — 2 May 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

High reliability Power SO8 package,

Optimised for 4.5V Gate drive utilising

qualified to 175°C

NextPower Superjunction technology

Low parasitic inductance and

Ultra low QG, QGD and QOSS for high

system efficiencies at low and high

loads

resistance

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Load switching

Power OR-ing

Server power supplies

Sync rectifier

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

drain-source voltage

drain current

25 °C ≤ T_j≤ 175 °C

[1]

I_D

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V; see Figure 1

T_mb= 25 °C; see Figure 2

100

P_tot

total power dissipation

junction temperature

T_j

-55

175

°C

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 4.5 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C;

see Figure 12

3.7

4.45

3.4

mΩ

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C;

2.85

see Figure 12

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 4.5 V; I_D= 25 A; V_DS= 12 V;

see Figure 14; see Figure 15

Q_G(tot)

12 3 4 5 6 7...15

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