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PSMN3R3-80ES

更新时间： 2024-11-06 10:00:23

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
14页	182K
描述
N-channel 80 V, 3.3 mΩ standard level MOSFET in I2PAK

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PSMN3R3-80ES 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	676 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (ID)：	120 A
最大漏源导通电阻：	0.0033 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	830 A	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN3R3-80ES 数据手册

PSMN3R3-80ES

I2P

N-channel 80 V, 3.3 mΩ standard level MOSFET in I2PAK

Rev. 1 — 31 October 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in I2PAK package qualified to 175C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

 High efficiency due to low switching

 Suitable for standard level gate drive

and conduction losses

1.3 Applications

 DC-to-DC converters

 Load switch

 Motor control

 Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V; see Figure 1

T_mb= 25 °C; see Figure 2

[1]

I_D

120

338

175

P_tot

total power dissipation

junction temperature

T_j

-55

°C

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; T_j= 100 °C;

see Figure 12

4.6

2.8

5.4

3.3

mΩ

[2]

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C;

see Figure 13

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 75 A; V_DS= 40 V;

see Figure 14; see Figure 15

Q_G(tot)

139

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive drain-source

avalanche energy

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C; I_D= 120 A;

V_sup≤ 80 V; R_GS= 50 Ω; unclamped

676

[1] Continuous current is limited by package.

[2] Measured 3 mm from package.

12 3 4 5 6 7...14

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