Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> PSMN3R7-25YLC

PSMN3R7-25YLC

更新时间： 2024-11-06 10:00:23

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
15页	349K
描述
N-channel 25 V 3.9 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PSMN3R7-25YLC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4	针数：	235
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	24 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (ID)：	97 A
最大漏源导通电阻：	0.0051 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-235	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	387 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN3R7-25YLC 数据手册

PSMN3R7-25YLC

LFP

N-channel 25 V 3.9 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using

NextPower technology

Rev. 01 — 2 May 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

High reliability Power SO8 package,

Optimised for 4.5V Gate drive utilising

qualified to 175°C

NextPower Superjunction technology

Low parasitic inductance and

Ultra low QG, QGD and QOSS for high

system efficiencies at low and high

loads

resistance

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Load switching

Power OR-ing

Server power supplies

Sync rectifier

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

25 °C ≤ T_j≤ 175 °C

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

P_tot

T_j

total power dissipation

junction temperature

T_mb= 25 °C; see Figure 2

-55

175 °C

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 4.5 V; I_D= 20 A;

T_j= 25 °C; see Figure 12

4.25 5.1

3.3 3.9

mΩ

V_GS= 10 V; I_D= 20 A;

T_j= 25 °C; see Figure 12

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

与PSMN3R7-25YLC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN3R7-25YLC,115	NXP	获取价格	PSMN3R7-25YLC - N-channel 25 V 3.9 mΩ logic l
PSMN3R7-30YLC	NXP	获取价格	NextPower 25 V & 30 V MOSFETs in LFPAK(Power-SO8)
PSMN3R7-30YLC,115	NXP	获取价格	PSMN3R7-30YLC - N-channel 30 V 3.95 mΩ logic
PSMN3R8-100BS	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V 3.9 mΩ standard level MOSFET
PSMN3R9-100YSF	NEXPERIA	获取价格	NextPower 100 V, 4.3 mOhm, 120 A, N-channel MOSFET in LFPAK56E packageProduction
PSMN3R9-25MLC	NXP	获取价格	N-channel 25 V 4.15 m logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology
PSMN3R9-25MLC	NEXPERIA	获取价格	N-channel 25 V 4.15 mΩ logic level MOSFET in
PSMN3R9-25MLC_15	NXP	获取价格	N-channel 25 V 4.15 mÎ© logic level MOSFET in
PSMN3R9-60PS	NXP	获取价格	N-channel 60 V, 3.9 mÎ© standard level MOSFET
PSMN3R9-60PS	NEXPERIA	获取价格	N-channel 60 V, 3.9 mΩ standard level MOSFET

与PSMN3R7-25YLC相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PSMN3R7-25YLC

PSMN3R7-25YLC 技术参数

PSMN3R7-25YLC 数据手册

与PSMN3R7-25YLC相关器件

与PSMN3R7-25YLC相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PSMN3R7-25YLC

PSMN3R7-25YLC 技术参数

PSMN3R7-25YLC 数据手册

与PSMN3R7-25YLC相关器件

与PSMN3R7-25YLC相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？