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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.34 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 59 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 70 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0057 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 366 A | 参考标准： | IEC-60134 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN4R2-40VSH | NEXPERIA |
获取价格 |
Dual N-channel 40 V, 4.2 mOhm standard level MOSFET in LFPAK56D (half-bridge configuration |
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| PSMN4R2-60PL | NXP |
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N-channel 60 V, 3.9 mΩ logic level MOSFET in |
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| PSMN4R2-60PL | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 60 V, 3.9 mΩ logic level MOSFET in |
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| PSMN4R2-80YSE | NEXPERIA |
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N-channel 80 V, 4.2 mOhm MOSFET with enhanced SOA in LFPAK56EProduction |
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| PSMN4R3-100ES | NXP |
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N-channel 100 V 4.3 mΩ standard level MOSFET |
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| PSMN4R3-100ES,127 | NXP |
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PSMN4R3-100ES - N-channel 100 V 4.3 mΩ standa |
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| PSMN4R3-100PS | NXP |
获取价格 |
N-channel 100 V 4.3 mΩ standard level MOSFET |
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| PSMN4R3-100PS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V 4.3 mΩ standard level MOSFET |
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| PSMN4R3-30BL | NXP |
获取价格 |
N-channel 30 V 4.1 mΩ logic level MOSFET in |
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| PSMN4R3-30BL | NEXPERIA |
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N-channel 30 V 4.1 mΩ logic level MOSFET in D |
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