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PSMN4R4-80PS

更新时间： 2024-11-26 11:15:23

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	708K
描述
N-channel 80 V, 4.1 mΩ standard level FETProduction

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PSMN4R4-80PS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	2.26
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	591 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0041 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	680 A
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN4R4-80PS 数据手册

PSMN4R4-80PS

N-channel 80 V, 4.1 mΩ standard level FET

Rev. 01 — 18 June 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Low conduction losses due to low

Suitable for standard level gate drive

on-state resistance

sources

1.3 Applications

DC - DC converters

Load switch

Motor control

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

I_D

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1; see Figure 3

100

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

306

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 10 V; I_D= 80 A;

V_DS= 40 V; see Figure 14;

see Figure 15

Static characteristics

R_DSon

drain-source

on-state resistance

V_GS= 10 V; I_D= 15 A;

T_j= 25 °C; see Figure 6;

see Figure 13

[1]

3.3

4.1

mΩ

[1] Measured 3 mm from package.

12 3 4 5 6 7...13

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PSMN4R4-80PS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BUK7509-75A	NXP	类似代替	TrenchMOS standard level FET
BUK7506-75B	NXP	类似代替	TrenchMOS standard level FET
PSMN005-75P	NXP	类似代替	N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS t

与PSMN4R4-80PS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN4R4-80PS,127	NXP	获取价格	PSMN4R4-80PS - N-channel 80 V, 4.1 mΩ standar
PSMN4R5-30YLC	NXP	获取价格	NextPower 25 V & 30 V MOSFETs in LFPAK(Power-SO8)
PSMN4R5-30YLC	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V 4.8 mΩ logic level MOSFET in L
PSMN4R5-40BS	NXP	获取价格	N-channel 40 V 4.5 m standard level MOSFET in D2PAK
PSMN4R5-40BS	NEXPERIA	获取价格	N-channel 40 V 4.5 mΩ standard level MOSFET i
PSMN4R5-40BS_15	NXP	获取价格	N-channel 40 V 4.5 mÎ© standard level MOSFET
PSMN4R5-40PS	NXP	获取价格	N-channel 40 V 4.6 mΩ standard level MOSFET
PSMN4R5-40PS	NEXPERIA	获取价格	N-channel 40 V 4.6 mΩ standard level MOSFETPr
PSMN4R5-40PS,127	NXP	获取价格	PSMN4R5-40PS - N-channel 40 V 4.6 mΩ standard
PSMN4R5-80YSF	NEXPERIA	获取价格	NextPower 80 V, 4.5 mOhm N-channel MOSFET in LFPAK56Production

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