5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级（Eas）： | 14.5 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 84 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0061 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-235 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 336 A |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN4R5-40BS | NXP |
获取价格 |
N-channel 40 V 4.5 m standard level MOSFET in D2PAK |
|
| PSMN4R5-40BS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 40 V 4.5 mΩ standard level MOSFET i |
|
| PSMN4R5-40BS_15 | NXP |
获取价格 |
N-channel 40 V 4.5 mΩ standard level MOSFET |
|
| PSMN4R5-40PS | NXP |
获取价格 |
N-channel 40 V 4.6 mΩ standard level MOSFET |
|
| PSMN4R5-40PS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 40 V 4.6 mΩ standard level MOSFETPr |
|
| PSMN4R5-40PS,127 | NXP |
获取价格 |
PSMN4R5-40PS - N-channel 40 V 4.6 mΩ standard |
|
| PSMN4R5-80YSF | NEXPERIA |
获取价格 |
NextPower 80 V, 4.5 mOhm N-channel MOSFET in LFPAK56Production |
|
| PSMN4R6-60BS | NXP |
获取价格 |
N-channel 60 V, 4.4 m standard level MOSFET in D2PAK |
|
| PSMN4R6-60BS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 60 V, 4.4 mΩ standard level MOSFET |
|
| PSMN4R6-60BS_15 | NXP |
获取价格 |
N-channel 60 V, 4.4 mΩ standard level MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
