是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.69 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 537 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 120 A | 最大漏源导通电阻: | 0.005 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 680 A | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PSMN5R0-100PS,127 | NXP |
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PSMN5R0-100PS - N-channel 100 V 5 mΩ standard | |
PSMN5R0-25YLB | NXP |
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NextPower 25 V & 30 V MOSFETs in LFPAK(Power-SO8) | |
PSMN5R0-25YLC | NXP |
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NextPower 25 V & 30 V MOSFETs in LFPAK(Power-SO8) | |
PSMN5R0-30YL | NXP |
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N-channel TrenchMOS logic level FET | |
PSMN5R0-30YL_10 | NXP |
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N-channel TrenchMOS logic level FET | |
PSMN5R0-40MLH | NEXPERIA |
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N-channel 40 V, 5 mΩ, logic level MOSFET in L | |
PSMN5R0-40MSH | NEXPERIA |
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N-channel 40 V, 5 mΩ, standard level MOSFET i | |
PSMN5R0-80BS | NXP |
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N-channel 80 V, 5.1 mΩ standard level MOSFET | |
PSMN5R0-80BS | NEXPERIA |
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N-channel 80 V, 5.1 mΩ standard level MOSFET | |
PSMN5R0-80PS | NXP |
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N-channel 80 V 4.7 mΩ standard level MOSFET |