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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级（Eas）： | 75.8 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (ID)： | 70 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.00569 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-235 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 280 A |
| 参考标准： | IEC-60134 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN5R5-100YSF | NEXPERIA |
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NextPower 100 V, 5.6 mOhm N-channel MOSFET in LFPAK56 packageProduction |
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| PSMN5R5-60YS | NXP |
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N-channel LFPAK 60 V, 5.2 mΩ standard level F |
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| PSMN5R5-60YS | NEXPERIA |
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N-channel LFPAK 60 V, 5.2 mΩ standard level F |
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| PSMN5R5-60YS,115 | NXP |
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PSMN5R5-60YS - N-channel LFPAK 60 V, 5.2 mΩ s |
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| PSMN5R6-100BS | NXP |
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N-channel 100 V 5.6 mΩ standard level MOSFET |
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| PSMN5R6-100BS | NEXPERIA |
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N-channel 100 V 5.6 mΩ standard level MOSFET |
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| PSMN5R6-100BS,118 | NXP |
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PSMN5R6-100BS - N-channel 100 V 5.6 mΩ standa |
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| PSMN5R6-100PS | NXP |
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N-channel 100 V 5.6 mΩ standard level MOSFET |
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| PSMN5R6-100PS | NEXPERIA |
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N-channel 100 V 5.6 mΩ standard level MOSFET |
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| PSMN5R6-60YL | NEXPERIA |
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N-channel 60 V, 5.6 mΩ logic level MOSFET in |
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