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PSMN6R0-25YLB

更新时间： 2024-09-15 11:14:19

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安世 - NEXPERIA		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	910K
描述
N-channel 25 V 6.1 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technologyProduction

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PSMN6R0-25YLB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
其他特性：	HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	15 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (ID)：	73 A
最大漏源导通电阻：	0.0079 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-235	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	292 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN6R0-25YLB 数据手册

PSMN6R0-25YLB

N-channel 25 V 6.1 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using

NextPower technology

Rev. 2 — 31 October 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

 High reliability Power SO8 package,

 Optimised for 4.5V Gate drive utilising

qualified to 175°C

NextPower Superjunction technology

 Low parasitic inductance and

 Ultra low QG, QGD, & QOSS for high

system efficiencies at low and high

loads

resistance

1.3 Applications

 DC-to-DC converters

 Load switching

 Synchronous buck regulator

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

drain-source voltage

drain current

25 °C ≤ T_j≤ 175 °C

I_D

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

P_tot

T_j

total power dissipation

junction temperature

T_mb= 25 °C; see Figure 2

-55

175

°C

Static characteristics

R_DSon

drain-source on-state resistance V_GS= 4.5 V; I_D= 20 A; T_j= 25 °C;

see Figure 12

6.7

5.1

7.9

6.1

mΩ

V_GS= 10 V; I_D= 20 A; T_j= 25 °C;

see Figure 12

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 4.5 V; I_D= 20 A; V_DS= 12 V;

see Figure 14; see Figure 15

2.6

Q_G(tot)

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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