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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-262AA | 包装说明： | PLASTIC, TO-262, I2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.66 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 315 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0068 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 475 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN7R0-100ES,127 | NXP |
获取价格 |
PSMN7R0-100ES - N-channel 100V 6.8 mΩ standar |
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| PSMN7R0-100PS | NXP |
获取价格 |
N-channel 100V 6.8 mΩ standard level MOSFET i |
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| PSMN7R0-100PS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100V 6.8 mΩ standard level MOSFET i |
|
| PSMN7R0-100XS | NXP |
获取价格 |
55A, 100V, 0.0068ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3 |
|
| PSMN7R0-30MLC | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 30 V 7 mΩ logic level MOSFET in LFP |
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| PSMN7R0-30MLC,115 | NXP |
获取价格 |
PSMN7R0-30MLC - N-channel 30 V 7 mΩ logic lev |
|
| PSMN7R0-30YL | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET |
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| PSMN7R0-30YL,115 | NXP |
获取价格 |
PSMN7R0-30YL - N-channel 30 V 7 mΩ logic leve |
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| PSMN7R0-30YL_10 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET |
|
| PSMN7R0-30YLC | NXP |
获取价格 |
N-channel 30 V 7.1 mΩ logic level MOSFET in L |
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