Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> PSMN7R0-100ES

PSMN7R0-100ES

更新时间： 2024-11-21 06:05:35

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
15页	242K
描述
N-channel 100V 6.8 mΩ standard level MOSFET in I2PAK.

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PSMN7R0-100ES 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	315 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0068 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	475 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN7R0-100ES 数据手册

PSMN7R0-100ES

N-channel 100V 6.8 mΩ standard level MOSFET in I2PAK.

Rev. 03 — 23 February 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in I2PAK package qualified to 175C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

High efficiency due to low switching

Suitable for standard level gate drive

and conduction losses

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Load switching

Motor control

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

100

[1]

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

269

175

T_j

junction temperature

-55

°C

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

drain-source

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C;

I_D= 100 A; V_sup≤ 100 V;

unclamped; R_GS= 50 Ω

315

avalanche energy

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

V_DS= 50 V; see Figure 15

and 14

Q_G(tot)

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

V_DS= 50 V; see Figure 14

and 15

125

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

与PSMN7R0-100ES相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN7R0-100ES,127	NXP	获取价格	PSMN7R0-100ES - N-channel 100V 6.8 mΩ standar
PSMN7R0-100PS	NXP	获取价格	N-channel 100V 6.8 mΩ standard level MOSFET i
PSMN7R0-100PS	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100V 6.8 mΩ standard level MOSFET i
PSMN7R0-100XS	NXP	获取价格	55A, 100V, 0.0068ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3
PSMN7R0-30MLC	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V 7 mΩ logic level MOSFET in LFP
PSMN7R0-30MLC,115	NXP	获取价格	PSMN7R0-30MLC - N-channel 30 V 7 mΩ logic lev
PSMN7R0-30YL	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET
PSMN7R0-30YL,115	NXP	获取价格	PSMN7R0-30YL - N-channel 30 V 7 mΩ logic leve
PSMN7R0-30YL_10	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET
PSMN7R0-30YLC	NXP	获取价格	N-channel 30 V 7.1 mΩ logic level MOSFET in L

与PSMN7R0-100ES相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PSMN7R0-100ES

PSMN7R0-100ES 技术参数

PSMN7R0-100ES 数据手册

与PSMN7R0-100ES相关器件

与PSMN7R0-100ES相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PSMN7R0-100ES

PSMN7R0-100ES 技术参数

PSMN7R0-100ES 数据手册

与PSMN7R0-100ES相关器件

与PSMN7R0-100ES相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？