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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.67 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 110 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 92 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0078 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 389 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SPP11N80C3 | INFINEON |
功能相似  |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN7R6-60PS,127 | NXP |
获取价格 |
PSMN7R6-60PS - N-channel 60 V 7.8 mΩ standard |
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| PSMN7R8-100PSE | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V 7.8 mΩ standard level MOSFET |
|
| PSMN7R8-120PS | NXP |
获取价格 |
70A, 120V, 0.0079ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| PSMN7R8-120PSQ | NXP |
获取价格 |
PSMN7R8-120PS MIKEB - N-channel 120V 7.9mΩ st |
|
| PSMN8R0-30YL | NXP |
获取价格 |
N-channel 8.3 mΩ 30 V TrenchMOS logic level F |
|
| PSMN8R0-30YL_1105 | NXP |
获取价格 |
N-channel 8.3 mΩ 30 V TrenchMOS logic level F |
|
| PSMN8R0-30YLC | NXP |
获取价格 |
N-channel 30 V 7.9 mΩ logic level MOSFET in L |
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| PSMN8R0-40BS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 40 V 7.6 mΩ standard level MOSFET i |
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| PSMN8R0-40HL | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 40 V, 9.4 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyProduct |
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| PSMN8R0-40PS | NXP |
获取价格 |
N-channel 40 V 7.6 mΩ standard level MOSFET |
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