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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (ID)： | 82 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0085 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-235 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 326 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN8R2-80YS,115 | ETC |
获取价格 |
MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK |
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| PSMN8R3-40YS | NXP |
获取价格 |
N-channel LFPAK 40 V 8.6 mΩ standard level MO |
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| PSMN8R3-40YS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel LFPAK 40 V 8.6 mΩ standard level MO |
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| PSMN8R5-100PS | NXP |
获取价格 |
N-channel 100 V 8.5 mΩ standard level MOSFET |
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| PSMN8R5-100PS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V 8.5 mΩ standard level MOSFET |
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| PSMN8R5-100PS_15 | NXP |
获取价格 |
N-channel 100 V 8.5 mΩ standard level MOSFET |
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| PSMN8R5-40HS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 40 V, 8.5 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyProd |
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| PSMN8R5-40MLD | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 40 V, 8.5 mΩ, logic level MOSFET in |
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| PSMN8R5-40MSD | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 40 V, 8.5 mΩ, standard level MOSFET |
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| PSMN8R5-60YS | NXP |
获取价格 |
N-channel LFPAK 60 V, 8 mΩ standard level MOS |
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