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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | PLASTIC, MS-012, SOP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | 雪崩能效等级（Eas）： | 77 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 16 A | 最大漏极电流 (ID)： | 16 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.013 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 4 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 64 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN9R0-30LL | NXP |
获取价格 |
N-channel QFN3333 30 V 9 mΩ logic level MOSFE |
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| PSMN9R0-30LL,115 | NXP |
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PSMN9R0-30LL - N-channel DFN3333-8 30 V 9 mΩ |
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| PSMN9R0-30YL | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET |
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| PSMN9R0-30YL,115 | NXP |
获取价格 |
PSMN9R0-30YL - N-channel 30 V 8 mΩ logic leve |
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| PSMN9R0-30YL_10 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET |
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| PSMN9R1-30YL,115 | NXP |
获取价格 |
PSMN9R1-30YL - N-channel 9.1 mΩ 30 V TrenchMO |
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| PSMN9R3-60HS | NEXPERIA |
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N-channel 60 V, 9.3 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyProd |
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| PSMN9R5-100BS | NXP |
获取价格 |
N-channel 100 V 9.6 m standard level MOSFET in D2PAK |
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| PSMN9R5-100BS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V 9.6 mΩ standard level MOSFET |
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| PSMN9R5-100BS,118 | NXP |
获取价格 |
PSMN9R5-100BS - N-channel 100 V 9.6 mΩ standa |
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