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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 97 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 76 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.008 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-235 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 303 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN8R5-60YS,115 | NXP |
获取价格 |
PSMN8R5-60YS - N-channel LFPAK 60 V, 8 mΩ sta |
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| PSMN8R7-80BS | NXP |
获取价格 |
90A, 80V, 0.0087ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3 |
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| PSMN8R7-80BS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 80 V 8.7 mΩ standard level MOSFET i |
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| PSMN8R7-80BS,118 | NXP |
获取价格 |
PSMN8R7-80BS - N-channel 80 V 8.7 mΩ standard |
|
| PSMN8R7-80PS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 80 V 8.7 mΩ standard level MOSFET i |
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| PSMN8R7-80PS | NXP |
获取价格 |
N-channel 80 V 8.7 mΩ standard level MOSFET i |
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| PSMN8R7-80PS,127 | NXP |
获取价格 |
PSMN8R7-80PS - N-channel 80 V 8.7 mΩ standard |
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| PSMN8R9-100BSE | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V, 10 mOhm, standard level MOSFET in D2PAKProduction |
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| PSMN9R0-25MLC | NXP |
获取价格 |
55A, 25V, 0.0113ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, LFPAK33-4 |
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| PSMN9R0-25MLC | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 25 V 8.65 mΩ logic level MOSFET in |
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