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PSMN8R7-80PS

更新时间： 2024-11-21 10:00:23

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
14页	236K
描述
N-channel 80 V 8.7 mΩ standard level MOSFET in TO-220

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PSMN8R7-80PS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	PLASTIC, SC-46, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	80 V
最大漏极电流 (ID)：	90 A	最大漏源导通电阻：	0.0087 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	361 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN8R7-80PS 数据手册

PSMN8R7-80PS

N-channel 80 V 8.7 mΩ standard level MOSFET in TO-220

Rev. 01 — 29 January 2010

Objective data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in TO-220 package qualified to 175 °C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

High efficiency due to low switching

Suitable for standard level gate drive

and conduction losses

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Load switching

Motor control

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

170

175

T_j

junction temperature

-55

°C

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

drain-source

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C;

I_D= 90 A; V_sup≤ 80 V;

120

avalanche energy

R_GS= 50 Ω; unclamped

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

V_DS= 40 V;

see Figure 14 and 15

11.6

Q_G(tot)

Static characteristics

R_DSon

drain-source

on-state resistance

V_GS= 10 V; I_D= 15 A;

T_j= 100 °C; see Figure 12

mΩ

[1]

V_GS= 10 V; I_D= 15 A;

7.5

8.7

T_j= 25 °C; see Figure 13

[1] Measured 3 mm from package.

12 3 4 5 6 7...14

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PSMN8R7-80PS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD19503KCS	TI	功能相似	80 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
IRF2807ZPBF	INFINEON	功能相似	AUTOMOTIVE MOSFET (75V, 94mOHM, 75A)

与PSMN8R7-80PS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN8R7-80PS,127	NXP	获取价格	PSMN8R7-80PS - N-channel 80 V 8.7 mΩ standard
PSMN8R9-100BSE	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V, 10 mOhm, standard level MOSFET in D2PAKProduction
PSMN9R0-25MLC	NXP	获取价格	55A, 25V, 0.0113ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, LFPAK33-4
PSMN9R0-25MLC	NEXPERIA	获取价格	N-channel 25 V 8.65 mΩ logic level MOSFET in
PSMN9R0-25MLC,115	NXP	获取价格	PSMN9R0-25MLC - N-channel 25 V 8.65 mΩ logic
PSMN9R0-25YLC	NXP	获取价格	N-channel 25 V 9.1 mΩ logic level MOSFET in L
PSMN9R0-25YLC,115	NXP	获取价格	PSMN9R0-25YLC - N-channel 25 V 9.1 mΩ logic l
PSMN9R0-25YLC_1111	NXP	获取价格	N-channel 25 V 9.1 mΩ logic level MOSFET in L
PSMN9R0-30KL	NXP	获取价格	TRANSISTOR 16 A, 30 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, MS-012,
PSMN9R0-30LL	NXP	获取价格	N-channel QFN3333 30 V 9 mΩ logic level MOSFE

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