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CSD19503KCS

更新时间： 2024-09-21 12:56:15
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
10页 768K
描述
80 V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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CSD19503KCS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.94其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：140 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：94 A最大漏极电流 (ID)：100 A
最大漏源导通电阻：0.0109 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：11.1 pFJEDEC-95代码：TO-220
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：188 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：247 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

CSD19503KCS 数据手册

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CSD19503KCS  
www.ti.com  
SLPS479 –DECEMBER 2013  
80 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs  
Check for Samples: CSD19503KCS  
1
FEATURES  
2
•
•
•
•
•
•
•
Ultra-Low Qg and Qgd  
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
PRODUCT SUMMARY  
TA = 25°C  
VDS  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
V
Drain-to-Source Voltage  
Gate Charge Total (10 V)  
Gate Charge Gate to Drain  
80  
28  
Qg  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Pb-Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
Qgd  
5.4  
VGS = 6 V  
8.8  
7.6  
RDS(on) Drain-to-Source On Resistance  
VGS(th) Threshold Voltage  
Halogen Free  
VGS = 10 V  
TO-220 Plastic Package  
2.8  
APPLICATIONS  
ORDERING INFORMATION  
Device  
CSD19503KCS  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
Tube  
•
•
Secondary Side Synchronous Rectifier  
Motor Control  
TO-220 Plastic  
Package  
Tube  
50  
DESCRIPTION  
This 80 V, 7.6 mΩ, TO-220 NexFET™ power  
MOSFET is designed to minimize losses in power  
conversion applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TA = 25°C  
VALUE  
UNIT  
VDS  
VGS  
Drain-to-Source Voltage  
80  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
100  
Continuous Drain Current (Package limited)  
Pin Out Drawing  
Continuous Drain Current (Silicon limited),  
TC = 25°C  
Drain (Pin 2)  
94  
66  
ID  
A
Continuous Drain Current (Silicon limited),  
TC = 100°C  
IDM  
PD  
TJ,  
Pulsed Drain Current (1)  
113  
188  
A
Power Dissipation  
W
Operating Junction and  
–55 to 175  
140  
°C  
Gate  
(Pin 1)  
TSTG Storage Temperature Range  
Avalanche Energy, single pulse  
EAS  
mJ  
ID = 53 A, L = 0.1 mH, RG = 25 Ω  
(1) Pulse duration ≤ 300 μs, Duty cycle ≤ 1%  
Source (Pin 3)  
RDS(on) vs VGS  
GATE CHARGE  
22  
10  
TC = 25°C,I D = 60A  
TC = 125°C,I D = 60A  
ID = 60A  
VDS = 40V  
9
20  
8
7
6
5
4
3
2
1
0
18  
16  
14  
12  
10  
8
6
4
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
4
8
12  
16  
20  
24  
28  
Qg - Gate Charge (nC)  
VGS - Gate-to- Source Voltage (V)  
G001  
G001  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NexFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2013, Texas Instruments Incorporated  
 
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