Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> PSMN8R7-80BS

PSMN8R7-80BS

更新时间： 2024-11-06 13:02:03

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
14页	236K
描述
90A, 80V, 0.0087ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3

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PSMN8R7-80BS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, D2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (ID)：	90 A
最大漏源导通电阻：	0.0087 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	361 A
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN8R7-80BS 数据手册

PSMN8R7-80PS

N-channel 80 V 8.7 mΩ standard level MOSFET in TO-220

Rev. 01 — 29 January 2010

Objective data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in TO-220 package qualified to 175 °C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

High efficiency due to low switching

Suitable for standard level gate drive

and conduction losses

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Load switching

Motor control

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

170

175

T_j

junction temperature

-55

°C

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

drain-source

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C;

I_D= 90 A; V_sup≤ 80 V;

120

avalanche energy

R_GS= 50 Ω; unclamped

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

V_DS= 40 V;

see Figure 14 and 15

11.6

Q_G(tot)

Static characteristics

R_DSon

drain-source

on-state resistance

V_GS= 10 V; I_D= 15 A;

T_j= 100 °C; see Figure 12

mΩ

[1]

V_GS= 10 V; I_D= 15 A;

7.5

8.7

T_j= 25 °C; see Figure 13

[1] Measured 3 mm from package.

12 3 4 5 6 7...14

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PSMN8R7-80BS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDB088N08	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel PowerTrench? MOSFET 75V, 85A, 8.8mΩ
IRF2807ZSPBF	INFINEON	功能相似	AUTOMOTIVE MOSFET (75V, 94mOHM, 75A)

与PSMN8R7-80BS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN8R7-80BS,118	NXP	获取价格	PSMN8R7-80BS - N-channel 80 V 8.7 mΩ standard
PSMN8R7-80PS	NEXPERIA	获取价格	N-channel 80 V 8.7 mΩ standard level MOSFET i
PSMN8R7-80PS	NXP	获取价格	N-channel 80 V 8.7 mΩ standard level MOSFET i
PSMN8R7-80PS,127	NXP	获取价格	PSMN8R7-80PS - N-channel 80 V 8.7 mΩ standard
PSMN8R9-100BSE	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V, 10 mOhm, standard level MOSFET in D2PAKProduction
PSMN9R0-25MLC	NXP	获取价格	55A, 25V, 0.0113ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, LFPAK33-4
PSMN9R0-25MLC	NEXPERIA	获取价格	N-channel 25 V 8.65 mΩ logic level MOSFET in
PSMN9R0-25MLC,115	NXP	获取价格	PSMN9R0-25MLC - N-channel 25 V 8.65 mΩ logic
PSMN9R0-25YLC	NXP	获取价格	N-channel 25 V 9.1 mΩ logic level MOSFET in L
PSMN9R0-25YLC,115	NXP	获取价格	PSMN9R0-25YLC - N-channel 25 V 9.1 mΩ logic l

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